<p>WLSC系列产品（100μm厚）适用于无线通信（例如5G）、雷达、数据播放系统之类的RF大功率用途。WLSC电容器适用于DC去耦、匹配电路、高次谐波／噪声滤除功能等。依靠村田＊的半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。利用半导体工艺，开发极深沟槽结构的硅电容器，静电容量密度高达6nF/mm2 to 250nF/mm2（支持的击穿电压为150V to 11V）。本公司的半导体（硅）技术，依靠可以生成超过900℃的高温退火的高纯度氧化膜，完全控制的生产工艺，与其他的电容器技术相比，可靠性最高达到后者的10倍。依靠这项技术，使DC电压与整个工作温度范围的静电容量的稳定性极为优秀。并且，因为硅在本质上电介质吸收很小，压电效应也很小，或者几乎没有，所以也没有存储效应。以硅为基础的技术符合RoHS标准。</p>
<p>* Murata Integrated Passive Solutions S.A.（旧IPDiA）</p>
<p><strong>特点</strong></p>
<ul>
<li>100μm的极薄型</li>
<li>低漏电流</li>
<li>高稳定性（温度、电压）</li>
<li>老化后静电容量也极少下降。</li>
<li>支持标准的引线键合封装（球和楔）</li>
</ul>
<p>（详情见本公司的封装应用说明）</p>
<p><strong>用途</strong></p>
<ul>
<li>雷达、基础设施无线通信、数据播放等要求严格的所有用途</li>
<li>焊盘完全平坦，因此标准的引线键合（在上下面镀金）比MLCC容易</li>
<li>去耦、DC噪声、高次谐波滤除、匹配电路（例如GaN功率放大器、LDMOS）</li>
<li>高可靠性用途</li>
<li>要求小型化和薄型的用途（100μm）</li>
<li>与单层陶瓷电容器、金属氧化膜半导体完全兼容</li>
</ul>
<p><strong>WLSC系列规格</strong></p>
<img alt="WLSC系列规格" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="e37d6bae-33b6-4d54-adb7-0e2bd3c29b46" src="/sites/default/files/inline-images/WLSC%E7%B3%BB%E5%88%97%E8%A7%84%E6%A0%BC.PNG" />
<p>(*) 也能根据客户要求提供其他的规格值 (*2) 包装材料除外 (*3) 引线键合、嵌入</p>
<p><strong>系列一览</strong></p>
<img alt="系列一览" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="0f72cd79-1431-4d8a-a2df-a98216a17322" src="/sites/default/files/inline-images/%E7%B3%BB%E5%88%97%E4%B8%80%E8%A7%88_2.PNG" />
<p>关于其他的规格值，请向本公司销售人员咨询。</p>