村田支持26GHz+的引线键合用上下电极硅电容器——UWSC系列

由 judy 提交于周二, 25 十二月 2018 - 13:55

UWSC系列是以光通信系统（ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品），以及高速数据系统和产品为目标，专为DC去耦和旁路用途设计的。依靠村田＊的半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），在超过26GHz的频率实现出色的静噪性能。UWSC系列是采用深槽和MOS半导体工艺生产的，满足低容量和高容量两方面要求，提供高可靠性，以及对于温度和电压的静电容量稳定性。实现了（0.02%/V，60ppm/K）和-55℃ to 150℃的广泛工作温度范围。生产线采用经过超过900℃的高温退火处理而获得的高纯度氧化膜，能够完全控制，确保高度的可靠性和再现性。这些电容器支持标准的引线键合封装（球和楔）。此外，这些电容器符合RoHS标准，也能提供厚膜金电极。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.（旧IPDiA）

特点

<ul>
<li>超过26GHz的超宽带性能</li>
<li>没有共振，相位稳定</li>
<li>外壳尺寸0101，静电容量值1nF</li>
<li>对于温度、电压、老化，静电容量值的稳定性很高</li>
<li>ESR和ESL超低，可靠性高</li>
<li>支持标准的引线键合封装（球和楔） </li>
</ul>

（详情见本公司的封装应用说明）

用途

<ul>
<li>光电产品／高速数据</li>
<li>跨阻放大器（TIA）</li>
<li>光收发组件（ROSA/TOSA）</li>
<li>同步光纤网络（SONET）</li>
<li>高速数字逻辑</li>
<li>宽带测试装置</li>
<li>宽带微波／毫米波</li>
<li>X7R与NP0电容器的置换</li>
<li>薄型用途（也能根据要求薄至250μm、100μm）</li>
</ul>

UWSC系列规格
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(*) 也能根据客户要求提供其他的规格值 (*2) 包装材料除外 (*4) 示例：10nF / 0303 / BV 50V

系列一览
<img alt="系列一览" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="7e3dab07-57c4-457c-9c53-fcd1c1a56740" src="/sites/default/files/inline-images/%E7%B3%BB%E5%88%97%E4%B8%80%E8%A7%88_3.PNG" />
关于其他的规格值，请向本公司销售人员咨询。