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适用于光通信应用的硅电容器

由 judy 提交于

<p>村田的高密度硅电容器，通过应用半导体的MOS工艺实现三维化，大幅增加电容器表面积，从而提高了基板单位面积的静电容量。</p>

<p>村田的高密度硅电容器适用的细分市场有：网络相关（RF功率放大器、宽带通信）、高可靠性用途、医疗、汽车、通信。</p>

<p><strong>适用于光通信系统的超宽频电容&nbsp;&nbsp;</strong></p>

<p>在村田众多硅电容器产品系列中，XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列是支持最高到100GHz+的表面贴装型硅电容器，以光通信系统（ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品），以及高速数据系统和产品为目标，专为隔直、耦合用途设计的。</p>

<p>依靠村田的半导体（硅）技术[＊见段后注释]实现了低插入损耗、低反射、高相位稳定性。支持的频率范围，最低为16kHz，XBSC最高为100+GHz，UBSC最高为60+GHz，BBSC最高为40GHz，ULSC最高为20GHz。具有极高的可靠性，以及随电压和温度变化极高的静电容量稳定性（0.1%/V，60 ppm/K）。</p>

<p><em>*&nbsp;注：</em><em>Murata Integrated Passive Solutions S.A.（旧IPDiA）</em></p>

<p>此外，硅电容器实现了-55℃ to 150℃的广泛工作温度范围。生产线采用经过超过900℃的高温固化处理形成高纯度氧化膜，能够完全控制，确保高度的可靠性和再现性。</p>

<p><strong>特点&nbsp;：</strong></p>

<ul>
<li>
<p>最高110GHz的超宽频性能</p>
</li>
<li>
<p>没有共振，超低群延迟变动</p>
</li>
<li>
<p>极佳传输阻抗匹配实现超低插损</p>
</li>
<li>
<p>在旁路接地模式下，超低ESL和ESR</p>
</li>
<li>
<p>随温度电压变化及老化下，静电容量稳定性很高</p>
</li>
<li>
<p>高可靠性</p>
</li>
<li>
<p>可以进行无铅回流焊</p>
</li>
</ul>

<p><strong>用途&nbsp;：</strong></p>

<ul>
<li>
<p>光电产品／高速数据</p>
</li>
<li>
<p>跨阻放大器（TIA）</p>
</li>
<li>
<p>光收发组件（ROSA/TOSA）</p>
</li>
<li>
<p>同步光纤网络（SONET）</p>
</li>
<li>
<p>高速数字逻辑</p>
</li>
<li>
<p>宽带测试装置</p>
</li>
<li>
<p>宽带微波／毫米波</p>
</li>
<li>
<p>X7R与NP0电容器的置换</p>
</li>
<li>
<p>薄型用途（400或100μm）</p>
</li>
</ul>

<p>在深圳举办的第21届中国国际光电博览会（CIOE2019）上，村田出展了XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列硅电容器产品及相关应用。</p>

<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="78e37dd6-596f-4c85-84b0-50c74110dd12" src="/sites/default/files/inline-images/1_43.jpg" /></p>

<p><em>村田表面封装硅电容器3D模型</em></p>

<p>村田展台现场展示的产品还包括：</p>

<p><strong>应用于TOSA&amp;ROSA的集成宽频RC的硅基板方案</strong></p>

<ul>
<li>
<p>小型化</p>
</li>
<li>
<p>耐高温 （125℃&nbsp; &nbsp;）</p>
</li>
<li>
<p>BOM精简</p>
</li>
<li>
<p>高可靠性</p>
</li>
<li>
<p>总成本削减</p>
</li>
</ul>

<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="9af35451-6704-4401-9f07-f202a29d0f04" src="/sites/default/files/inline-images/2_45.jpg" /></p>

<p><em>村田客户定制硅电容器产品</em></p>

<p><strong>打线退耦电容 WLSC/ UWSC系列</strong></p>

<ul>
<li>
<p>数据中心线缆管理用RFID</p>
</li>
<li>
<p>低ESR</p>
</li>
<li>
<p>低ESL</p>
</li>
<li>
<p>小尺寸大容量（0101， 1nF）</p>
</li>
<li>
<p>适合打线的完美的电极平坦度</p>
</li>
<li>
<p>宽温度范围内高可靠性</p>
</li>
</ul>

<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="a3612887-b081-4b9e-90a0-e03a14515271" src="/sites/default/files/inline-images/3_38.jpg" /></p>

<p><em>村田引线键合用上下电极硅电容器产品</em></p>

<p>来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/7vPqg6-w3nT2PfdgUmGHgg">Murata中国</a></p&gt;