<p>Murata BBSC/UBSC/ULSC超宽带SMT硅电容器面向光通信系统（ROSA/TOSA、SONET和所有光电元件）以及高速数据系统或产品。这些电容器设计用于直流阻断、耦合和旁路接地应用。这些硅电容器在宽频率范围（UBSC为16kHz至67GHz，BBSC为16kHz至40GHz，ULSC为16kHz至20GHz）内具有低插入损耗、低反射和高相位稳定性。这些深沟槽硅电容器设计采用半导体MOS工艺，可在过电压 (0.1%/V) 和超温 (60ppm/K) 条件下提供高可靠性和电容稳定性。</p>
<p><a id="Text-1"></a></p>
<p>这些元件的扩展工作温度范围为-55°C至+150°C。高温固化过程（高于900°C）可生成高纯度的氧化物，从而提供高可靠性和可重复性能。BBSC/UBSC/ULSC系列符合标准JEDEC组装规则，因此与高速自动拾取贴装生产操作完全兼容。这些电容器符合RoHS指令，根据外壳尺寸的不同，可采用ENIG端接或无引线预焊。</p>
<h2>特性</h2>
<ul>
<li>高达110GHz的超宽带性能</li>
<li>无谐振，可实现极低的群时延变化</li>
<li>超低插入损耗（得益于传输模式下的阻抗匹配）</li>
<li>在旁路接地模式下具有低ESL和低ESR</li>
<li>电容值在整个温度、电压和老化条件下具有很高的稳定性</li>
<li>高可靠性</li>
<li>与无铅回流焊兼容</li>
</ul>
<h2>规范</h2>
<ul>
<li>电容范围：1nF至100nF</li>
<li>电容容差：±15%</li>
<li>温度范围
<ul>
<li>工作温度范围：-55°C至+150°C</li>
<li>储存温度范围：-70°C至+165°C</li>
</ul>
</li>
<li>温度系数：+60ppm/K</li>
<li>击穿电压：11V<sub>DC</sub>或30V<sub>DC</sub></li>
<li>老化：<0.001%/1000小时</li>
<li>高度：400µm或100µm</li>
</ul>
<h2>应用</h2>
<ul>
<li>光电元件/高速数据</li>
<li>跨阻抗放大器 (TIA)</li>
<li>收发光学子组件 (ROSA/TOSA)</li>
<li>同步光纤网络 (SONET)</li>
<li>高速数字逻辑</li>
<li>宽带测试设备</li>
<li>宽带微波/毫米波</li>
<li>替代X7R和NP0电容器</li>
<li>薄型应用</li>
</ul>