<p>Murata ATSC汽车用高温硅电容器面向处于汽车市场领域恶劣条件下的发动机罩下电子设备和传感器。深沟槽MOS电容器与独特的镶嵌结构和分布式沟槽电容器相结合，实现了出色的电气性能。在生产过程中，该电容器在+900°C的温度下固化，生成高纯度的氧化物，另外，该器件符合AEC-Q100标准，在高达200°C的温度下实现了较长的使用寿命。</p>
<p>Sicap技术具有高可靠性（最高可达替代电容器技术的10倍），且稳定性高、外形纤薄。与标准SMD解决方案相比，ATSC电容器具有增强的去耦性能，并且与系统级封装组件和引线框架完全兼容。</p>
<p><strong>特性</strong></p>
<ul>
<li>符合AEC-Q100标准</li>
<li>在+200°C条件下具有超长使用寿命</li>
<li>电容值在整个温度、电压和老化条件下具有很高的稳定性</li>
<li>负载突降</li>
<li>8kV HBM ESD</li>
<li>适用于高温引线框架安装</li>
</ul>
<p><strong>规范</strong></p>
<ul>
<li>电容范围：390pF至1µF</li>
<li>电容容差：±15%</li>
<li>厚度：250µm</li>
<li>额定电压：16VDC</li>
<li>温度范围</li>
</ul>
<ol>
<li>工作温度范围：-55°C至+200°C</li>
<li>储存温度范围：-70°C至+215°C</li>
</ol>
<ul>
<li>击穿电压：30VDC</li>
</ul>
<p><strong>应用</strong></p>
<ul>
<li>恶劣条件传感器</li>
<li>200°C传感器</li>
<li>点火传感器</li>
<li>油压传感器</li>
<li>温度传感器</li>
<li>电机管理传感器</li>
<li>涡轮增压传感器</li>
<li>霍尔效应传感器</li>
</ul>