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由 cathy 提交于

本视频将向您介绍Vishay TrenchFET 第四代顶侧双面冷却MOSFET的内容。

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<p>Vishay TrenchFET®第四代顶侧双面冷却MOSFET可进行顶侧冷却，另外还可在器件上的另一个位置实现热传递。这些MOSFET采用PowerPAK® SO-8DC封装。TrenchFET双面冷却MOSFET包括可提供如下漏源击穿电压的型号：25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V。这些N通道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。TrenchFET MOSFET可用于各类特定产品应用，包括同步整流、直流/直流转换、电源、电池管理等。<br />
</p>

<p><strong>特性</strong></p>
<ul>
<li>
<p>TrenchFET® 功率MOSFET</p>
</li>
<li>采用顶侧冷却，另外还提供其他导热位置</li>
<li>100%通过Rg和UIS测试</li>
<li>PowerPAK SO-8DC封装</li>
</ul>

<p><strong>规范</strong></p>
<ul>
<li>
<p>漏源击穿电压：25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V</p>
</li>
<li>
<p>工作温度范围：-55°C至150°C</p>
</li>
</ul>

<p><strong>应用</strong></p>
<ul>
<li> <p>同步整流</p></li>
<li>
<p>直流/直流转换器</p>
</li>
<li> <p>SiDR626DP、SiDR638DP、SiDR668DP、SiDR680DP和SiDR870ADP：</p>
<ul>
<li><p>电机驱动控制</p></li>
<li>
<p>电池和负载开关</p>
</li>
</ul></li>
</ul>
<ul>
<li><p>SiDR140DP、SiDR390DP、SiDR392DP和SiDR402DP：</p>
<ul>
<li><p>OR-ing </p></li>
<li><p>负载开关</p></li>
<li>
<p>高功率密度直流/直流器件</p>
</li>
</ul> </li>
</ul>
<ul>
<li><p>SiDR610DP：</p>
<ul>
<li><p>电源</p></li>
<li>
<p>D类放大器</p>
</li>
</ul>

</li>
</ul>

<ul>
<li> <p>SiDR622DP：</p>
<ul>
<li> <p>一次侧开关</p></li>
<li> <p>H桥</p></li>
</ul>
</li>
</ul>
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