<p><strong>SK Hynix 刚刚宣布了 176 层 NAND 闪存芯片，特点是从传统设计升级到了 PUC 方案。在最大限度提高生产效率的同时，还可以减小存储芯片的尺寸。</strong>WCCFTech 指出，作为 4D NAND 闪存芯片系列的最新一代，海力士已于上月向主控企业提供了样品，以推动相关产品的上市。</p>

<p><img alt="SK海力士推出176层4D NAND闪存芯片" data-entity-type="file" data-entity-uuid="28657797-eaed-4ac6-8be9-dfaf10bb5652" src="http://new.eetrend.com/files/2020-12/wen_zhang_/100059778-115791-1.jpg&…; /></p>

<p><em>（来自：<a href="https://news.skhynix.com/sk-hynix-unveils-the-industrys-highest-layer-1… hynix</a>）</em></p>

<p>从 96 层 NAND 闪存芯片开始，海力士一直在推动 4D 技术的发展。本文介绍的 176 层 NAND 芯片，已经发展到第三代。从制造上来说，其能够确保业内最佳的每片晶圆产出。</p>

<p>海力士 NAND 开发负责人 Jung Dal Choi 表示：“闪存行业正在努力改善技术，以实现高集成度和高产量。同时作为 4D NAND 的先驱，海力士将引领业内最高的技术和产能”。</p>

<p>性能方面，第三代 4D NAND 技术可提升单元读取速度和数据传输速率，此外 176 层 NAND 闪存芯片采用了 2 分区单元阵列选择技术。</p>

<p><img alt="SK海力士推出176层4D NAND闪存芯片" data-entity-type="file" data-entity-uuid="3b77f4c5-0a13-4625-98e0-a9548e1339fa" src="http://new.eetrend.com/files/2020-12/wen_zhang_/100059778-115792-2.png&…; /></p>

<p>其原理是将存储单元分成了两个部分，调用电阻更低、读取速度更快。通过不增加处理数量的加速技术（确保数据调用请求能够快速响应），第三代 4D NAND 还可将传输速率提升 33% 。</p>

<p>然后是能够实时自动校正的超精密对准技术，其特点是能够保障堆栈之间的电流稳定性，进而确保可靠的性能。</p>

<p>展望未来，海力士希望开发出基于 176 层 4D NAND 技术的 Tb 级产品。在此之前，美光已经发布了 176 层 NAND，并且推出了基于英睿达品牌的产品。</p>

<p>来源：<a href="https://www.cnbeta.com/articles/tech/1065863.htm">cnBeta.COM</a></p&gt;