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东芝DTMOSVI系列MOSFET，有效提高电源效率

由 judy 提交于

如今，市场对于高效率电源的需求日益增涨，在此背景下，东芝拓展了新一代650V超结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”，推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z产品，它们适用于数据中心、光伏发电机功率调节器等工业设备的开关电源。这四款产品进一步完善了上一代产品在封装、漏源导通电阻和栅漏电荷方面的设计。
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与上一代DTMOSIV-H系列相比，新一代DTMOSVI系列“漏源导通电阻×栅漏电荷”的品质因数降低约40%[1]，开关电源效率提高约0.36%[2]。未来，顺应市场需求，东芝将继续拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线，为提高电源效率增添“芯”助力。

<strong>应用：</strong>

工业设备开关电源：

数据中心（服务器电源等）

光伏发电机功率调节器

不间断电源系统

<strong>特性：</strong>

“漏源导通电阻×栅漏电荷”的值降低约40%[1]，有助于提高开关电源的效率

直插式TO-220封装

<strong>主要规格：</strong>

（@Ta＝25℃）
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<strong>内部电路：</strong>
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<strong>应用电路示例</strong>
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注：

[1]与上一代DTMOSIV-H系列相比

[2]截至2022年2月，东芝测量的数值（采用输出功率为2500W的PFC电路时，TO-247封装的新系列TK040N65Z与上一代TK62N60X相比）

[3]DTMOSIV系列

* 本文所示应用电路仅供参考。

* 需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。

* 提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。