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艾为电子推出低导通阻抗高可靠性锂电池充电保护MOSFET

由 judy 提交于

手机在我们工作和生活中扮演了非常重要的角色，随着手机屏幕亮度和刷新率的提高。手机续航问题已成了当前用户的一个痛点，为了缓解这个问题。快充在手机中快速普及，充电功率高达上百瓦。

AW401005QCSR是一款专为手机锂电池充电保护设计的共漏极双MOSFET器件，可适用于33W至100W手机充电功率的应用。
产品规格主要参数
  • Package：CSP-10L
  • BVss ＞12V
  • BVgs ＞±8V
  • Rss(on) typ. 2.2mΩ（Vgs 4.5V）
  • 2kV ESD HBM
  • WLCSP 2.98mm*1.49mm*0.11mm-10L

该产品特别使用了艾为第四代CSP抗水汽结构，极大程度地解决了以往CSP芯片贴板后容易在高温水汽环境下的失效问题，现已通过客户端的可靠性验证。
封装信息
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典型应用图
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应用场景
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产品主要优势
AW401005QCSR具备优异的参数平衡性，兼顾应用场景的广泛性与器件的可靠性。在相同环境下，AW401005QCSR与市面竞品从导通电阻、耐压(漏电)、开关速度、雪崩电流，雪崩能量几个维度进行赛马，归一化得分表如下图所示，艾为蓝色线框为AW401005QCSR，灰色点线框为市面竞品，可以看出AW401005QCSR在各维度都表现优秀。
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在相同环境下，测试AW401005QCSR与市场同类产品的反向充电保护时间，AW401005QCSR以72.1μs的时长通过测试。
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在相同环境下，测试AW401005QCSR与市场同类产品的反向充电极限电压，AW401005QCSR可承受近18.5V的高压，优于市场同类产品。
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主要应用原理
AW401005QCSR产品需要搭配锂电池保护控制芯片使用，保护功能主要是充/放电截止电压保护和过充/放电电流保护，其中充电截止电压保护和放电截止电压保护是由控制芯片采样电池电压来实现，过充/放电流保护通过检测采样电阻Rsns两端电压来实现。