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英诺赛科推出30V VGaN，电压范围再拓展

由 judy 提交于

英诺赛科 VGaN 系列推出首颗 30V 新品 INV030FQ012A，再一次拓宽 VGaN 产品的电压范围。
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INV030FQ012A 采用 FCQFN 4mm*6mm 封装，体积小巧，使用一颗 VGaN 即可替代传统方案中两颗共漏连接的背靠背 NMOS，降低占板面积，为系统板的小型化提供助力。该产品主要应用于过流保护，负载开关等应用场景，其超低导通电阻、宽 SOA 等特性使低损耗，耐短路冲击的优势在应用中更为显著。

<strong>产品特性</strong>
<li>双向导通能力</li>
<li>先进的超低导通电阻低压技术</li>
<li>超小封装体积</li>
<li>零反向恢复充电电量</li>

<strong>产品优势</strong>
INV030FQ012A 与传统 MOSFET 相比，具备以下优势：
<li>FCQFN 4x6mm 封装，一颗 GaN 能替代两颗 MOSFET，较传统MOSFET 占板面积可缩小 50%；</li>
<li>Ron(max) 1.2mΩ，超低导通电阻，较传统 MOSFET 减少 50%；</li>
<li>具有更宽的 SOA，鲁棒性高，能耐受短路冲击。</li>

同时，INV030FQ012A 的封装与之前推出的 40V VGaN INN040FQ012A Pin to Pin，可直接替换，给客户更多的电压选择，更灵活地调整系统 BOM。

<strong>应用领域</strong>
<li>高边负载开关</li>
<li>过压保护</li>
<li>电池保护</li>
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<p align="center"><strong>INV030FQ012A 规格书首页</strong></p>

截至目前，英诺赛科已发布 VGaN 系列产品共6款，覆盖电压范围30V~100V，方便客户根据自身的产品定制选择。
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<p align="center"><strong>VGaN 产品汇总表</strong></p>

新品 INV030FQ012A 当前已进入量产阶段，可通过官网查询详细产品规格书、可靠性报告、仿真模型等相关资料。如需申请样品，欢迎通过以下邮件与我们联系。

jiaxinhuang@innoscience.com

英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际先进水平。公司氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有近700项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。
英诺赛科，引领氮化镓革命，赋能未来！

文章来源：<span id="profileBt"><a href="https://mp.weixin.qq.com/s/TU1pNXqz1fhkmtZ0zCjTjQ">英诺赛科</a></span&gt;