​碳化硅

本白皮书探讨了碳化硅 (SiC) 功率器件封装的创新，重点介绍了它们在满足现代电力应用需求方面的关键作用

近日，芯塔电子自主研发的第三代碳化硅MOSFET成功实现向华南某大型集中式光伏电站的大批量交付，并已全面应用于该电站的核心功率转换环节。

SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能，因此在质量保证方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技术实现稳定的品质，而SiC则需要更严格的品质控制和可靠性测试

Wolfspeed 宣布推出采用其第四代 (Gen 4) 技术的新型车规级塑封碳化硅功率模块（TM4），专为电动汽车牵引逆变系统设计，可根据具体需求灵活优化系统性能。

本篇聚焦自举供电场景，重点介绍一种 SiC MOSFET 的可靠驱动方案，通过将简易负压生成电路与具备米勒钳位功能的驱动芯片相结合，从而省去了专门的负压隔离电路设计

本文探讨碳化硅（SiC）在高压电源应用中的设计要点，包括栅极驱动、热管理、电磁干扰控制等，助力高效、可靠的电源系统开发。

面对电力电子应用与日俱增的需求，高电压系统研发工程师正更多地转向采用碳化硅 (SiC) 方案，借助其固有的温度特性和开关性能优势。

本文为第一篇，将聚焦工业充电器简介、PFC 级选型。

该系列提供 650 V 至 1200 V 多种电压选项，能显著提升系统功率密度和效率，同时优化热管理性能并增强电路板布局灵活性。

Wolfspeed 推出的工业级 C3M0900170x 和获得车规级认证 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 产品系列，可在 20 至 200 W 范围内增强辅助电源的设计能力