三菱电机

在Si-IGBT DIPIPM基础上，三菱电机开发了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章节主要介绍全SiC和混合SiC的SLIMDIP产品。

本章节带你探究SiC MOSFET模块并联应用中的动态均流问题。

本章节主要介绍了SiC MOSFET并联运行实现静态均流的基本要求和注意事项。

本章节带你了解SiC MOSFET驱动电路设计、驱动电阻选择、死区时间等注意事项。

与硅基模块相比，全SiC SLIMDIP的功率损耗降低了79%，混合SiC SLIMDIP的功率损耗降低了47%，可使电器更节能。

本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外，还应注意测试波形的准确性。

商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，本文带你了解其静态特性。

SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点，可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率。本文介绍SiC SBD的静态特性和动态特性。

三菱电机高压SiC模块支持175℃工作结温，其封装技术相对传统IGBT模块封装技术做了很大改进，本文带你详细了解内部的封装技术。

三菱电机开发了工业应用的NX封装全SiC功率模块，采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构，与现有的Si-IGBT模块相比，显著降低了功率损耗