三菱电机

目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等，本文带你了解以上三种SiC晶体生长方法及其优缺点。

本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块，该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管

本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。

三菱电机的光学设备阵容中增加了新的接收器芯片，将使传输速度为800Gbps/1.6Tbps的现有设备能够以相同的速度接收新的光数据

本篇章带你了解SiC的晶体结构及其可能存在的晶体缺陷。

三菱电机从事SiC器件开发和应用研究已有近30年的历史，从基础研究、应用研究到批量商业化，从2英寸、4英寸晶圆到6英寸晶圆

三菱电机从事功率半导体开发和生产已有六十多年的历史，从早期的二极管、晶闸管，到MOSFET、IGBT和SiC器件

新的低电流模块，适用于铁路车辆的辅助电源和相对小容量的驱动系统，适用不同功率要求的大型工业设备

PAM可用于32T32R mMIMO天线，以降低5G mMIMO基站的生产成本和功耗，随着5G网络从城市中心向偏远地区的扩展，预计PAM将得到越来越多地部署

三菱电机的新型DFB-CAN的紧凑封装包含了一个DFB激光芯片和一个波长监测芯片。通过改进DFB激光芯片中用于温度控制的热交换元件并优化散热设计，实现了仅1W的低功耗。