东芝

东芝推出新款高速四通道数字隔离器“DCL54xx01”系列，该系列具有100kV/μs（最小值）的高共模瞬态抑制（CMTI）和150Mbps的高速数据速率

TPH9R00CQ5具有行业领先的9.0mΩ（最大值）的低漏源导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1”相比降低了约42%。

新产品可以通过外部终端进行指令节点和响应节点之间的模式切换。此外，它具有5μA（典型值）的电流消耗（睡眠）（IBAT_SLP）[6]，且待机模式消耗电流低

新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正向电压为1.2V（典型值），比GT50JR22降低了大约43%

TB9083FTG这款新产品能够控制和驱动用于驱动3相直流无刷电机的外置N沟道功率MOSFET

新产品使用东芝的模拟器件整合工艺（BiCD），实现0.4Ω（典型值）的导通电阻，比东芝现有产品低50%以上。

源极引脚采用多针结构，与现有的TO-220SM(W)封装相比，封装电阻下降大约30%，从而将XPQR3004PB的漏极额定电流（DC）提高到400A，高出当前产品1.6倍

东芝集团近日宣布将在日本兵库县建设新的功率半导体器件、模块制造设施。项目预计于2025年春季投产，有望将东芝在该基地的车规功率半导体产能增加一倍以上。

在查看来自东芝的光耦时，你通常会发现物料编号的末尾带有后缀“TP”和“SE”（例如TLP291(GB-TP,SE），而这并未体现在规格书中。

新开发的双栅极RC-IEGT结合栅极控制技术，关断和导通损耗分别比传统单栅极结构降低24%和18%，反向恢复损耗降低32%。因此，实际测量值中总开关损耗降低24%，而导通损耗没有任何增加。