功率器件

高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得

文章针对这两类拓扑进行参数设计，选取三种功率器件方案，参考实际应用参数，利用PLECS平台进行仿真分析，综合对比三种功率器件在损耗、结温、效率和成本等方面的特点与差异。

本文追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代技术进行了比较。

本文介绍了一种新的用于大功率应用的XHP™ 2 IGBT模块，包括低杂散电感设计原理、开关特性和采用IGBT5/.XT技术可以延长模块的使用寿命等关键点。

本文对当前各种类型射频微波晶体管的结构特点、性能和应用情况进行了分析和综述。

TLP5222采用SO16L封装，可确保8mm（最小值）的爬电距离和电气间隙，适用于需要实现较高绝缘性能的设备。

众所周知，各个行业各个领域都有其需要遵循的标准规范，一般会对其产品需要达到的使用条件提出各方面的要求。

应用笔记是汇总了用户开发流程各阶段所需的技术信息的文档，从基础到实践性内容全方位支持客户。在此，将分 4 大步骤介绍为成功进行热设计所准备的应用笔记。

在电子设备的世界里，电器的电源效率也是评定其工作能力的重要指标。那么，该如何提高机器设备的效率呢？今天要给大家介绍一款能够降低电机功率损耗的600V小型智能功率器件（IPD）

在实际应用中，工程师们都会遇到一个相同的困惑：器件的选型着实令人头疼。对此，小编感同身受。今天，我们就一起来看看MOSFET和IGBT之间的有哪些异同点，在选型时应着重查看哪些参数。