场效应晶体管

本篇聚焦自举供电场景，重点介绍一种 SiC MOSFET 的可靠驱动方案，通过将简易负压生成电路与具备米勒钳位功能的驱动芯片相结合，从而省去了专门的负压隔离电路设计

UJ4SC075009B7S 在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ，可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率

GaN产业已经建立一套方法来保证GaN产品的可靠性，因此问题并不在于“GaN是否可靠？”，而是“如何验证GaN的可靠性？”

新型50mOhm SuperGaN场效应晶体管简化并加快基于氮化镓的高功率系统的开发，适用于数据中心和广泛工业应用

下面为方便电子工程师快速准确的选择场效应晶体管，可以从以下六大诀窍着手。