寄生电容

随着传统DRAM器件的持续缩小，较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响，未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容

MOS管具有三个内在的寄生电容：Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现

本文中，我们将专注于前道工序 (FEOL)，并演示在栅极和源极/漏极之间引入空气间隙的SEMulator3D®模型

本文从MOSFET的寄生电容的角度，结合BOOST PFC电路对Si MOSFET和SiC MOSFET展开讨论。