栅极驱动

R24C2T25 的隔离电压为 3 kVAC/1 min，具有 3.5 pF 的超低耦合电容和 +/-150 V/ns 的共模瞬态抗扰度

圣邦微电子推出 SGM48211 系列 120V 高压半桥栅极驱动产品。器件可应用于电信，数据通信，便携式存储的 48V 或更低电压系统中的电源转换器

东芝已大量投放市场的五款新型MOSFET栅极驱动IC—TCK42xG系列是支持外部背对背MOSFET的器件，可阻止电流反向流入负载开关

栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能，在IGBT开启时噪音和振铃最小。

TLP5222采用SO16L封装，可确保8mm（最小值）的爬电距离和电气间隙，适用于需要实现较高绝缘性能的设备。

英飞凌科技股份有限公司推出全新 EiceDRIVER™ 2EDL8 栅极驱动 IC 产品系列，以满足移动网络基础设备DC-DC 电信砖的增长需求。

日前，Vishay 宣布，推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 mW，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。

本文将对电源IC BD7682FJ的外置MOSFET的开关调整部件和调整方法进行介绍。

MOSFET栅极驱动调整电路：R16、R17、R18、D17

1、概述