氮化镓

Qorvo的SiC FET技术用于采用TO-Leadless（TOLL）封装的750V器件开发，并扩大了其领先优势。那么，如此小巧的TOLL封装能带来什么？

英诺赛科推出两款 100V 新品氮化镓功率器件，旨在提高电源功率转换效率，降低系统损耗与成本

英诺赛科推出多款采用TO252 / TO220 封装的直驱氮化镓芯片，基于先进的8英寸硅基氮化镓技术，耐压从650V升级到700V，并迅速量产出货

Transphorm FET利用简单的半桥门驱动器实现高达99%的效率，验证了在超过一千瓦的宽广功率范围内具有成本效益的设计方案

Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至190 mΩ之间），提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8 mm两种封装

氮化镓正取代硅，越来越多地用于需要更大功率密度和更高能效的应用中

本文将探讨氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 的基本原理，展示其在开关模式电源电路中相对于传统硅器件的优势

新款PowiGaN InnoSwitch IC面向工业应用和400V系统汽车电源，输出功率可高达100W

本文将为大家重点说明利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路必须考虑的 PCB 设计注意事项

本文将为您介绍GaN FET与高效电池隔离技术的发展，以及Nexperia所推出的GaN FET与专用电池隔离MOSFET的产品特性。