使用大面积分析提升半导体制造的良率 winniewei / 周一, 4 三月 2024 - 16:27 大面积分析技术可以预防、探测和修复热点，从而将系统性、随机性和参数缺陷数量降至最低，并最终提高良率 阅读更多 关于 使用大面积分析提升半导体制造的良率登录或注册以发表评论
使用SEMulator3D进行虚拟工艺故障排除和研究 winniewei / 周一, 29 一月 2024 - 15:41 SEMulator3D 工艺建模在开发早期识别工艺和设计问题，减少了开发延迟、晶圆制造成本和上市时间 阅读更多 关于 使用SEMulator3D进行虚拟工艺故障排除和研究登录或注册以发表评论
为刻蚀终点探测进行原位测量 winniewei / 周五, 19 一月 2024 - 16:28 使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测 阅读更多 关于 为刻蚀终点探测进行原位测量登录或注册以发表评论
为刻蚀终点探测进行原位测量 judy / 周五, 12 一月 2024 - 11:09 随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀工艺波动的影响将变得明显。刻蚀终点探测用于确定刻蚀工艺是否完成、且没有剩余材料可供刻蚀 阅读更多 关于 为刻蚀终点探测进行原位测量登录或注册以发表评论
半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战 winniewei / 周一, 18 十二月 2023 - 16:02 帮助imec确定使用半大马士革集成和空气间隙结构进行3nm后段集成的工艺假设 阅读更多 关于 半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战登录或注册以发表评论
半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战 judy / 周一, 18 十二月 2023 - 15:06 随着器件微缩至3nm及以下节点，后段模块处理迎来许多新的挑战，这使芯片制造商开始考虑新的后段集成方案 阅读更多 关于 半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战登录或注册以发表评论
以工艺窗口建模探索路径：使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口 winniewei / 周五, 24 十一月 2023 - 14:32 持续的器件微缩导致特征尺寸变小，工艺步骤差异变大，工艺窗口也变得越来越窄[1]。半导体研发阶段的关键任务之一就是寻找工艺窗口较大的优秀集成方案。 阅读更多 关于 以工艺窗口建模探索路径：使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口登录或注册以发表评论
以工艺窗口建模探索路径：使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口 judy / 周四, 16 十一月 2023 - 15:04 本文将举例说明如何借助虚拟制造评估 DRAM 电容器图形化工艺的工艺窗口 阅读更多 关于 以工艺窗口建模探索路径：使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口登录或注册以发表评论
泛林集团如何助力触觉技术的实现 winniewei / 周四, 16 十一月 2023 - 09:21 在掺钪氮化铝脉冲激光沉积领域的创新或成为推动无铅压电触觉设备大批量生产的关键 阅读更多 关于 泛林集团如何助力触觉技术的实现登录或注册以发表评论
干货 | 使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺 winniewei / 周一, 23 十月 2023 - 17:09 SEMulator3D®虚拟制造平台可以展示下一代半大马士革工艺流程，并使用新掩膜版研究后段器件集成的工艺假设和挑战 阅读更多 关于 干货 | 使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺登录或注册以发表评论