电源反接

假如有人将24V电源连接到您的12V电路上，将发生什么？

倘若电源线和接地线因疏忽而反接，电路还能安然无恙吗？

您的应用电路是否工作于那种输入电源会瞬变至非常高压或甚至低于地电位的严酷环境中?

即使此类事件的发生概率很低，但只要出现任何一种就将彻底损坏电路板。

为了隔离负电源电压，设计人员惯常的做法是布设一个与电源相串联的功率二极管或 P 沟道 MOSFET。然而——

<ul>
<li>
<p>二极管既占用宝贵的板级空间，又会在高负载电流下消耗大量的功率。</p>
</li>
<li>
<p>P 沟道 MOSFET 的功耗虽然低于串联二极管，但 MOSFET 以及所需的驱动电路将导致成本增加。</p>
</li>
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这两种解决方案均牺牲了低电源操作性能，尤其是串联二极管。而且，两种方法都没有提供针对过高电压的保护 —— 这种保护需要更多的电路，包括一个高电压窗口比较器和充电泵。

假如有人将 24V 电源连接到您的 12V 电路上，将发生什么？

倘若电源线和接地线因疏忽而反接，电路还能安然无恙吗？

您的应用电路是否工作于那种输入电源会瞬变至非常高压或甚至低于地电位的严酷环境中？

即使以上类事件的发生概率很低，但只要出现任何一种就将彻底损坏电路板。

为了隔离负电源电压，我们惯常的做法是布设一个与电源相串联的功率二极管或 P 沟道 MOSFET。然而——

● 二极管既占用宝贵的板级空间，又会在高负载电流下消耗大量的功率；

● P 沟道 MOSFET 的功耗虽然低于串联二极管，但 MOSFET 以及所需的驱动电路将导致成本增加。

这两种解决方案均牺牲了低电源操作性能，尤其是串联二极管。而且，两种方法都没有提供针对过高电压的保护——这种保护需要更多的电路，包括一个高电压窗口比较器和充电泵。

<strong>欠压、过压和电源反向保护</strong>