碳化硅

如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点

SMFA非对称瞬态抑制二极管采用单一元件解决方案，可轻松取代多个齐纳二极管和瞬态抑制二极管

本文将介绍碳化硅分立解决方案和功率模块在住宅和商用热泵及空调设计中的技术考虑因素和实际应用。

最新一代SiC器件旨在改善未来电动汽车电驱逆变器平台，进一步释放小型化和节能潜力。

东芝最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗

Power Integrations灵活通用的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC产品系列为汽车应用提供了多种方案选择

本文深入探讨了SiC的基本特性、优势、减少体积以及加速其研发的方法，并通过SiC MOSFET电源模块方案来进行实例分析，旨在为相关设计提供有益的参考与指导。

本文将介绍如何简化、加快碳化硅设计流程并降低风险，以及如何在工业电机驱动系统中更轻松地实现 IE4 和 IE5 节能目标。

本文将聚焦于SiC材料的卓越属性，探讨安森美（onsemi）系列先进的封装技术为加速SiC导入新能源领域应用提供的参考范例。

第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度