碳化硅

3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围

碳化硅FET已经在车载充电器（OBC）电路领域确立了自身地位，尤其是在电池工作电压超过500V的情况下。这些器件的低功率损耗使得穿孔封装和表面安装式封装都可以用于此应用。

对于一直在设法提高效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言，碳化硅（SiC）MOSFET的高开关速度、高额定电压和小RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力。然而，由于高开关速度会导致高漏源电压（VDS）峰值和长振铃期，它们会产生电磁干扰，尤其是在电流大时。

650V-1200V电压等级的SiC MOSFET商业产品已经从Gen 2发展到了Gen 3，随着技术的发展，元胞宽度持续减小，比导通电阻持续降低，器件性能超越Si器件，浪涌电流、短路能力、栅氧可靠性等可靠性问题备受关注

随着碳化硅(SiC)技术的发展，器件也在日趋成熟和商业化，其材料独特的耐高温性能正在加速推动结温从150℃走向175℃，有的公司称，现在已开始研发200℃结温的碳化硅器件。虽然碳化硅很耐高温，但是高温毕竟对器件的性能、故障率、寿命等都有很大的影响。

随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关，电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题，并带来更高的效率增益。