SiC MOSFET:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法 judy / 周一, 3 六月 2024 - 10:43 本文将介绍根据在上一篇文章中测得的开关波形,使用线性近似法来计算功率损耗的方法。 阅读更多 关于 SiC MOSFET:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法登录 发表评论
罗姆(ROHM)第4代:技术回顾 judy / 周一, 30 一月 2023 - 17:05 TechInsights仅用数周就迅速采购并剖析了罗姆第4代金氧半场效晶体管,并于2022年7月公布了首批图像 阅读更多 关于 罗姆(ROHM)第4代:技术回顾登录 发表评论
罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器 judy / 周三, 28 十二月 2022 - 10:38 从2025年起将向全球电动汽车供货,助力延长续航里程和系统的小型化 阅读更多 关于 罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器登录 发表评论
罗姆发布肖特基二极管白皮书, 助力汽车、工业和消费电子设备实现小型化和更低损耗! judy / 周二, 8 十一月 2022 - 15:04 近年来,随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及,应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。 阅读更多 关于 罗姆发布肖特基二极管白皮书, 助力汽车、工业和消费电子设备实现小型化和更低损耗!登录 发表评论
成功实现功率器件热设计的4大步骤 judy / 周三, 20 四月 2022 - 14:04 应用笔记是汇总了用户开发流程各阶段所需的技术信息的文档,从基础到实践性内容全方位支持客户。在此,将分 4 大步骤介绍为成功进行热设计所准备的应用笔记。 阅读更多 关于 成功实现功率器件热设计的4大步骤登录 发表评论