英飞凌

英飞凌在 SiC 器件设计中，是如何在开关性能、耐压冗余与长期可靠性三者之间做权衡与优化？

英飞凌的顶部冷却式Q-DPAK封装为基于CoolMOS™和CoolSiC™的功率转换器在功率密度和系统效率优化方面，提供了一种极具吸引力的解决方案

该系列减少了外部元件数量、缓解了快速开关型GaN器件常见的PCB布局难题，并帮助设计师缩短了开发周期

本文通过实验对比验证了功率器件在应用设计中的关键因素，包括功率回路杂感的布局优化，栅极电阻对于关断电压尖峰的影响和RC吸收电路对于电压应力的抑制效果。

由于QDPAK封装是英飞凌新一代大功率产品的表贴顶部散热产品，其安装方式有所不同，所以针对其安装方式做一些详细的介绍。

ANPC拓扑即有源中点钳位技术，是基于NPC型三电平拓扑改进而来，最早提出是用来克服NPC三电平拓扑损耗分布不均匀和中点电位问题

BGT60CUTR13AIP传感器具有高达7 GHz的带宽和11 dBm的输出功率，能以极高的分辨率同时检测20米范围内的移动与静态目标

英飞凌在开关式天线调谐器之外，继续开发了可调电容式天线调谐器（Capacitor-Tuner, 或C-Tuner）。本文将对这一产品形态与应用做一个初步介绍。

为了帮助设计人员更快、更高效地选择合适的拓扑结构，我们特别推出了覆盖多种应用领域的《功率系统拓扑结构选型指南》。、

碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用，其潜力毋庸置疑。然而，从当前高功率碳化硅MOSFET来看，仍存在一个难题