解决 48V 高功率痛点：Nexperia 推出 AEC-Q101 认证 MOSFET，单颗顶多颗，散热 / 效率双升级 judy / 周五, 19 九月 2025 - 10:08 新器件具有超低导通损耗，导通电阻(RDS(on))低至0.99mΩ，可实现460A以上的安全电流。 阅读更多 关于 解决 48V 高功率痛点：Nexperia 推出 AEC-Q101 认证 MOSFET，单颗顶多颗，散热 / 效率双升级登录或注册以发表评论
Nexperia推出100 V MOSFET，为高要求汽车应用实现超低导通损耗 winniewei / 周五, 19 九月 2025 - 09:47 车规级CCPAK1212封装可提高48 V设计的功率密度 阅读更多 关于 Nexperia推出100 V MOSFET，为高要求汽车应用实现超低导通损耗登录或注册以发表评论
CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现 winniewei / 周四, 12 十二月 2024 - 16:56 提供超低RDS(on)和超高的电流与热管理能力 阅读更多 关于 CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现登录或注册以发表评论
CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现 judy / 周四, 12 十二月 2024 - 11:27 提供超低RDS(on)和超高的电流与热管理能力 阅读更多 关于 CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现登录或注册以发表评论