CoolSiC

安富利基于英飞凌CoolSiC™打造了一套3.3 kW高功率密度双向PFC解决方案，它的最高效率可达99.2%，功率密度约72 W/in³，专为下一代高能效应用而生。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出全新封装的 CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司通过增加顶部散热（TSC）的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。

碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用，其潜力毋庸置疑。然而，从当前高功率碳化硅MOSFET来看，仍存在一个难题

本文介绍了工业应用辅助电源解决方案，包括两级式辅助电源架构和各种拓扑结构。

英飞凌的CoolSiC^TM和CoolGaN^TM产品非常适用于应对数据中心机架和电源供应单元（PSU）电力需求增长所需的新架构和AC-DC配电配置。

CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。