DRAM

LPDDR5T的16 GB容量套装产品可在国际半导体标准化组织（JEDEC）规定的最低电压1.01至1. 12V（伏特）标准范围下运行

• 完成与高通最新移动处理器的兼容性验证，正式开始向客户提供产品

在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗降低10%，且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组

本文将探讨消费类DRAM和工业DRAM之间的差异，并揭示不正确使用DRAM的风险

SK海力士21日宣布，公司成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E1，并开始向客户提供样品进行性能验证。

TechInsights发现了四种EUV光刻(EUVL)工艺，用于阵列有源切割/外围有源(有源修剪)、位线接触(BLC)、存储节点接触垫(SNLP)/外围第一金属层 (M1)和存储节点(SN)管图形化

动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备

半导体公司正在推动 DRAM 的进步，突破性能、密度和效率的界限。这是最近的一些例子

三星电子最新推出的DRAM将以更高的能效和生产率，优化人工智能应用在内的下一代计算

CXL作为下一代，能够为高性能服务器系统中与CPU一起使用的加速器、DRAM和存储设备提高效率。