EiceDRIVER

该半导体器件具有高栅极电流能力，可实现高边N沟道MOSFET的快速导通和关断

该系列半桥驱动器 IC 有四种型号，分别采用两种不同的封装技术：2ED132xS12M 采用 DSO-16 300 mil封装，+2.3 A/-4.6 A 的电流能力

英飞凌科技股份公司继推出 EiceDRIVER™ 6ED223xS12T 系列 1200 V 绝缘体上硅（SOI）三相栅极驱动器之后，现又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列，进一步扩展其产品组合。

英飞凌科技股份公司面向12 V / 24 V汽车应用推出了具有集成线路保护功能的智能高压侧MOSFET栅极驱动器——EiceDRIVER™ 2ED2410-EM，该栅极驱动器是英飞凌40/60 V OptiMOS™ MOSFET的理想搭档。

在回答这个问题之前，让我们从硬件设计者的角度快速了解一下传统的开发过程。

新一代EiceDRIVER 2EDN驱动器芯片系列包括稳定可靠的双通道低边4 A/5 A栅极驱动器IC。它不仅适用于高速功率MOSFET，还适用于基于宽禁带（WBG）材料的开关器件。

EiceDRIVER F3增强型系列栅极驱动器采用爬电距离为8mm的DSO 16 300 mil宽体封装。这款单路隔离栅极驱动器具有高达300 kV/us的超高共模瞬态抗扰度（CMTI），以及高达8.5 A的典型输出电流。

EiceDRIVER APD系列中的这款智能双通道高压侧栅极驱动器2ED4820-EM能承受低至-90 V的负电压（Vbat），以及高达+105 V的正电压 —— 在短路或接触不良情况下，就可能会出现这样的大范围电压波动状况。