GaN

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)相较于硅FET，开关速度更快，封装更小，功率损耗更低。这些特性使得电源转换器能够在更高频率下运行，从而既能减小整体解决方案尺寸，又能保持高效率

随着电力电子系统追求更高的效率和密度，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽禁带（WBG）半导体在新能源领域有了更多的应用

新型电源供应单元参考设计整合了英诺赛科650V 和150V 高性能氮化镓功率晶体管与Allegro创新的 Power-Thru™ AHV85110 隔离式栅极驱动器，后者具备自供电架构，并集成偏置电源。

随着硅基晶体管技术的功率密度、击穿电压和开关频率接近理论极限，依靠传统硅基MOSFET和IGBT晶体管提升电机驱动性能变得越来越难

今天，在功率电子领域，氮化镓（GaN）正在取代硅（Si）器件，成为越来越多大功率密度、高能效应用场景中的主角。

本文介绍了一种新型单级转换器参考设计 TIDA-010954，该设计使上述终端设备的实施更高效、体积更小，同时降低了成本。

芯片面积缩减30%：通过先进的工艺优化与结构创新，显著提升硅片利用率，助力实现更高功率密度设计

本文提出了一种基于 GaN 场效应晶体管 (FET) 的 10kW 串式逆变器。我们还将探讨 GaN 的优势，并重点介绍为住宅太阳能应用构建此类系统的优势。

本文将探讨德州仪器的 UCG28826 集成 GaN 反激式转换器如何帮助您克服交流/直流适配器设计难题。

该款新器件具有极高的象征意义，因为集成度更高，设计应用更为简便。