GaN

650V 智能电源模块 (IPM)集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术，助力家电和暖通空调（HVAC）系统逆变器达到99%以上效率。

评估套件具有 Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步电机控制器/驱动器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能

本文将探讨5G功率放大器（PA）设计进步所带来的挑战与机遇。同时，我们还将分享针对当前趋势的见解，并提供实用建议，助力工程师们更有效地进行设计。

本文将带您深入探讨设计工程师在热设计过程中需要关注的一些关键问题。

INN060FQ043A 采用 FCQFN 3mm*4mm 封装，导通电阻 4.3mΩ，在与 40V InnoGaN（INN040FQ043A）封装尺寸及导通电阻保持一致的基础上，将耐压等级提升到60V

面对GaN在消费电子领域应用现状，相关企业开始寻求新的增量市场，GaN技术应用由此逐步向新能源汽车、光伏、数据中心等其他应用场景延伸

英诺赛科宣布推出100V车规级氮化镓器件INN100W135A-Q，该器件已通过AEC-Q101 认证

为加速实现碳中和，正在实施各种电气化和节能化举措。

TE系列采用宽带隙氮化镓半导体、高频平面变压器和增强型反激拓扑等先进技术，12V和24V输出型为承受峰值负载，可提供140%的功率

本文将解读PMIC如何用于设计和控制雷达、无线基础设施、卫星通信和其他应用中的RF GaN PA技术