GaN

芯片面积缩减30%：通过先进的工艺优化与结构创新，显著提升硅片利用率，助力实现更高功率密度设计

本应用简报介绍 TI GaN 器件如何改进光伏充电控制器。与 MOSFET 相比，使用 TI GaN 器件可提高效率并减小 PCB 尺寸，而且不会增加 BOM 成本。

本文提出了一种基于 GaN 场效应晶体管 (FET) 的 10kW 串式逆变器。我们还将探讨 GaN 的优势，并重点介绍为住宅太阳能应用构建此类系统的优势。

当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此，设计人员将氮化镓 (GaN) 器件用于各种电源转换拓扑。

微波单片集成电路(Microwave monolithic integrated circuit,MMIC)以其体积小、重量轻、一致性好和可靠性高等优点在微波毫米波领域得到了迅速的发展。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN™ G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。

在开关模式电源中使用GaN开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了GaN作为硅的替代方案在开关模式电源中的未来前景。

ICeGaN HEMT 和IGBT 的并联组合降低了成本、实现高效率

在全球持续面临气候变化和环境可持续发展挑战之际，英飞凌科技股份公司一直站在创新前沿，利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的所有相关半导体材料大幅推动低碳化和数字化领域的发展。