MOS管

穿通击穿一般不会出现破坏性击穿。因为穿通击穿场强没有达到雪崩击穿的场强，不会产生大量电子空穴对。

电源工程师们都知道开关MOS在整个电源系统里面的损耗占比是不小的，开关mos的的损耗我们谈及最多的就是开通损耗和关断损耗，由于这两个损耗不像导通损耗或驱动损耗一样那么直观，所以有部分人对于它计算还有些迷茫。

01、MOSFET的击穿有哪几种？

Source、Drain、Gate

场效应管的三极：源级S、漏级D、栅级G

（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）

带你读懂MOS管参数「热阻、输入输出电容及开关时间」

由 cathy 提交于周一, 14 九月 2020 - 17:12

我们打开一个MOS管的SPEC，会有很多电气参数，今天说一说热阻、电容和开关时间这三个。

热阻，英文Thermal resistance，指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W或者是K/W。

半导体散热的三个途径，封装顶部到空气，封装底部到电路板，封装引脚到电路板。

结到空气环境的热阻用ThetaJA表示，ThetaJA = (T_j-T_a)/P

其中T_j为芯片结温，T_a为芯片环境温度，如下图所示。

还有一些其他的热阻参数如下：

ThetaJC=(T_j-T_c)/P，结到封装外壳的热阻，一般而言是到封装顶部的热阻，所以一般的，ThetaJC=ThetaJT

ThetaJB=(T_j-T_b)/P，结到PCB的热阻。

由 cathy 提交于周四, 10 九月 2020 - 17:26

如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。

首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？

MOS管Vgs小平台

带着这个疑问，我们尝试将电阻R1由5K改为1K，再次仿真，发现这个平台变得很小，几乎没有了，这又是为什么呢？

什么是MOS管

Q：什么原因会导致MOS管损坏？

A：导致MOS管损坏的主要原因可总结为五种：雪崩破坏、器件发热损坏、内置二极管破坏、由寄生震荡导致的破坏以及因栅极电涌、静电造成的破坏。

第一种：雪崩破坏

我们在做电路设计时，三极管和MOS管做开关用时有什么区别？

工作性质：

1、三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。
2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。
3、功耗问题：三极管损耗大。
4、驱动能力：MOS管常用于电源开关，以及大电流开关电路。

第一种：雪崩破坏

如果在漏极-源极间外加超出器件额定V_DSS的电涌电压，而且达到击穿电压V_(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

MOS管是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写，或称金属绝缘体半导体。MOS管的源极和漏极是可以对调的，他们都是在P型衬底中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件性能。所以这样的器件是对称的。