SGMNQ12340

SGMNQ12340 具有低导通电阻的显著特点，其典型值仅为 13mΩ（V_GS = 10V），最大值不超过 18mΩ（V_GS = 10V），能有效降低导通损耗

圣邦微电子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐压、低导通电阻、输入电容低、切换速度快、高性能的 N 沟道 MOSFET。该器件可应用于 VBUS 过压保护开关、AMOLED 显示控制器、电池充放电开关及 DC/DC 转换器。