SiC MOSFET

 TM4G0012120K其12mΩ的超低导通电阻（VGS=18V，ID=75A，Tj=25℃）配合1200V的击穿电压能力，为高功率密度应用树立了新的技术标杆

SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能，因此在质量保证方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技术实现稳定的品质，而SiC则需要更严格的品质控制和可靠性测试

薄型器件适于中高频应用，节省空间，同时降低寄生电感，实现更洁净的开关特性

采用SiC器件的工业电源，可以实现高效率和高功率密度。三菱电机开发了一系列适合工业电源应用的SiC MOSFET模块，本章节带你详细了解。

与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。

本文围绕基于SiC分立器件和功率模块的功率因数校正器（PFC）级，分析并比较了二者在车载充电器（OBC）应用中的性能。

本文重点介绍三菱电机SiC MOSFET模块的高功率密度和低损耗设计。

本文重点介绍三菱电机SiC MOSFET模块的可靠性设计。

本章节主要介绍三菱电机车规级SiC MOSFET产品，包括模块及芯片。

本章节主要带你探究三菱电机的SiC MOSFET模块在电动汽车主驱中的应用。