SK海力士

LPDDR5T的16 GB容量套装产品可在国际半导体标准化组织（JEDEC）规定的最低电压1.01至1. 12V（伏特）标准范围下运行

SK海力士21日宣布，公司成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E1，并开始向客户提供样品进行性能验证。

SK海力士开始向客户提供应用于智能手机等移动产品的高性能DRAM LPDDR5X的24GB封装产品

238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。

SK海力士HBM3 DRAM可每秒传输163部全高清（Full-HD）电影，最大速度可达819GB/s（每秒819千兆字节）

本次产品的速度比现有产品快13%，运行速度高达9.6Gbps（Gb/s）

本文将基于2022年11月举行的第10届SK海力士学术会议内容对CIS关键技术之一的背照式(Backside Illumination, BSI)技术进行介绍。

该产品的最低数据传输速率也高达8Gbps，较之目前DDR5产品4.8Gbps提高了80%以上。

由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案

在“完全堆叠”状态下，HBM3 高带宽显存可轻松达成 24GB 的容量，辅以较 HBM2E 翻倍的 16 通道架构 @ 6.4 Gbps 频率。