Vishay

器件占位面积小，采用BWL设计，I_D高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 °C/W的RthJC可优化热性能

器件通过AEC-Q200认证，额定脉冲循环为100 000次，功率耗散高达35 W

器件Qrr低至105 nC，VF为1.10 V，在降低开关损耗的同时，可降低寄生电容并缩短恢复时间

TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装，RthJC低至0.45 °C/W，ID高达144 A，从而提高功率密度

新的TS7系列采用 6.7 mm x 7 mm的紧凑尺寸，功率密度高，可提供0.5 W的额定功率和IP67密封等级

自我保护器件R₂₅阻值达1.5 kW，可处理电压高达1200 V_DC，能量吸收能力达340 J，可减少元件数量

器件峰值输出电流高达4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns

<p>车规级器件采用节省空间的SOP-4封装，典型导通和关断时间为0.1 ms，达到业内先进水平</p>

新型VETH100A1DD1器件符合OPEN Alliance 100Base-T1和1000Base-T1规范

器件体积小，额定功率30 W，工作温度达 +105 °C，饱和电流为22 A