Vishay

通孔器件采用铁氧体磁芯技术，工作温度达 +155 °C，直流内阻低，有助于减少功耗，提高效率

SMD器件发光强度达2300 mcd， 波长分别为525 nm和465 nm，适用于心率监测和烟雾探测

Vishay Sfernice P16F和PA16F电位器介电强度高达5000 VAC，+40 °C下额定功率为1 W，可用来简化工业和音频应用设计并优化成本。

节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 1212封装分立器件减少50 %，有助于减少元器件数量并简化设计

升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外（IR）收发器模块链路距离延长20 %，抗ESD能力提高到2 kV

自我保护器件R25阻值达1 kΩ，可处理直流电压高达1200 VDC，能量吸收能力达240 J，适于汽车和工业应用

新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。

器件采用中央栅极结构3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212 F封装，提高系统功率密度，改进热性能

器件易于集成、支持精确信号检测、设计灵活，适于可穿戴设备心率监测和脉搏血氧监测应用

与上一代解决方案相比，日前发布的接近传感器封装面积减小20%、待机电流降低20%仅为5 μA，阳光抵消量提高40%达140 klx