<p> 电容去耦的一个重要问题是电容的去耦半径。大多数资料中都会提到电容摆放要尽量靠近芯片,多数资料都是从减小回路电感的角度来谈这个摆放距离问题。确实,减小电感是一个重要原因,但是还有一个重要的原因大多数资料都没有提及,那就是电容去耦半径问题。如果电容摆放离芯片过远,超出了它的去耦半径,电容将失去它的去耦的作用。<br />
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<p>随着使用频带的高频化、尺寸的小型化,基站设计越发受到有限的基板空间上可搭载的元件数量及尺寸的制约、元件使用温度的制约等方面的影响,,该怎样妥善处理这些?</p>
<p>村田制作所为解决此类问题,将小型且具有优良高频特性的电容器、减少搭载元件数量的电容器以及可保证高温的电容器新增到产品阵容。</p>
<p><strong>一、 使用无线跳频技术的意义</strong></p>
<p>无线通信的健壮性来自2方面的挑战:外部干扰和多径衰退。</p>
<p><strong>外部干扰</strong></p>
<p>在ISM公用频段,频率是十分宝贵的资源。如下图所示,2.4GHz的频段有WiFi、Bluetooth和ZigBee,还有无绳电话、微波炉等,这样一来需要避免同频干扰。</p>
<p>射频(RF)PCB设计,在目前公开出版的理论上具有很多不确定性,常被形容为一种“黑色艺术”。通常情况下,对于微波以下频段的电路(包括低频和低频数字电路),在全面掌握各类设计原则前提下的仔细规划是一次性成功设计的保证。对于微波以上频段和高频的PC类数字电路。则需要2~3个版本的PCB方能保证电路品质。而对于微波以上频段的RF电路则往往需要更多版本的:PCB设计并不断完善,而且是在具备相当经验的前提下。由此可知RF电设计上的困难。</p>
<p><strong>1 RF电路设计的常见问题 </strong></p>
<p><strong>1.1 数字电路模块和模拟电路模块之间的干扰</strong></p>
<p>只有在电路中使用晶体谐振器,才需要考虑负载电容问题。在选择时需要依据以下三个基本原则:</p>
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(1):因为每一种晶振都有各自的特性,所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。</p>
<p>(2):在许可范围内,C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增加起振时间。</p>
<p>(3):应使C2值大于C1值,这样可使上电时,加快晶振起振。</p>
<p>村田DFEG和DFEH系列金属合金电感器是薄型电感器,使用低损耗铁粉来确保大电流处理能力和高效率。 这款电感器具有磁屏蔽结构、铁芯可闻噪声低、符合AEC-Q200要求,工作温度变化范围是-40ºC至+125ºC。<br />
<strong>特性</strong></p>
<p>毫无疑问,物联网、大数据和人工智能,无疑是2017最被期待的几大趋势。从仍然处于分散状态的物联网到计算范式的快速波动,再到人工智能正在如何重塑我们的生活方式,每个人都在谈论这些趋势,但真正发生了什么?以下是您需要怎样理解这些趋势,并如何从一个消费者的角度面对它们引领的未来。</p>
<p><strong>大数据</strong></p>
<p>片状独石陶瓷电容器受到机械、热应力时会发生断裂,当断裂到内部电极的活动区域(图1)时,会导致该部分内部电极间的漏电,并可能造成绝缘电阻的降低(短路)。</p>
<p>绝缘电阻降低的机械故障主要为"断裂处在高电场下的放电"。</p>
<p>例,如图2所示,当内部电极间发生断裂时,电极间的介电材料中会形成一层较薄的空气层。<br />
将其模型化后,当施加电压V时,将介电材料内部的电场强度用E来表示,空气层的电场强度用εE来表示。</p>
<p>因此,施加在电容器上的电压大部分处于空气层,当其超过空气的绝缘破坏电压时,会产生放电现象,反复放电后会降低绝缘电阻。</p>
<p>株式会社村田制作所将高速差分接口「MIPI*1 C-PHY」用3线共模静噪滤波器NFP0NCN系列商品化。该产品将于2017年4月开始量产。</p>
<p>目前,「MIPI D-PHY」作为移动设备的摄像头模块和显示模块间的接口使用。<br />
随着摄像头越发高分辨率和信息处理量增加,更需要高速传输数据,为此推出了新一代接口「MIPI C-PHY」。</p>
<p>C-PHY与传统2线传输数据的D-PHY有很大不同,因为是通过3线传输数据,所以对传统的2线用共模静噪滤波器的传输信号有很大影响,无法进行使用。</p>
<p>贴片电容做为无源元件,在电源电路中经常使用的功能有:实现旁路、去藕、滤波和储能等方面的作用,在信号电路中主要作用有耦合、振荡/同步及时间常数的作用。下面我们就分别对这些加一解释。<br />
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