近日，由世纪电源网主办的“第四届电源行业配套品牌颁奖晚会”在深圳圆满落幕。在备受瞩目的奖项角逐中，至信微电子荣获 “国产功率器件行业优秀奖 - 消费级” 与 “功率器件行业新锐奖” 双项殊荣。

随着技术的不断进步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）因其优异的性能被广泛应用于各种电子设备中。然而，这些器件在长期连续使用后会出现老化现象，导致性能退化。如何在短时间内准确评估这些器件的老化特性，成为行业关注的焦点。

多样化产品矩阵亮相 引领可持续发展新变革

动态特性是功率器件的重要特性，在器件研发、系统应用和学术研究等各个环节都扮演着非常重要的角色。故对功率器件动态参数进行测试是相关工作的必备一环，主要采用双脉冲测试进行。

对功率器件动态参数进行测试是器件研发工程师、电源工程师工作中的重要一环，测试结果用于验证、评价、对比功率器件的动态特性。

功率器件，通常也被称为电力电子器件，是在电力系统和电气工程中根据负载要求处理电力转换的器件。作为电子领域的核心成员，大功率半导体器件的技术与工艺对整个电力电子产业有着举足轻重的影响。在PCIM Asia 2021展上，东芝电子元件（上海）有限公司分立器件应用技术部门高级经理屈兴国，向我们分享了东芝在功率器件领域的相关进展。

<strong><font color="#004a85">作者：李树琪</font> </strong>

以LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）为代表的射频大功率器件已经在民用通信市场以其优异的性能和低廉的价格而得到越来越广泛的应用，对于这种射频大功率器件的器件水平和能力评估也越来越受到关注。本文基于负载牵引系统，采用简单、便捷以及可重复使用的理念，使用常规的微带线阶梯型阻抗变换器电路为基础，充分考虑在应用测试中的偏置电路，进行前期使用ADS（Advanced Design System）仿真加后期验证，设计制造了低耗无串扰的TRL（Though Reflected Delay）校准件，为测试得到射频大功率器件的射频性能奠定了优异的基础。

<strong><font color="#FF0000">作者：贸泽电子 Bill Schweber</font> </strong>

在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力。这些优势正是当下高功耗高密度系统、服务器和计算机所需要的，可以说专家所预测的拐点已经到来！

时下，多个厂商正在大量的生产GaN器件，这些GaN器件正在被应用于工业、商业甚至要求极为严格的汽车领域的电力和电机控制中。他们的接受度和可信度正在逐渐提高。（请注意，基于GaN的射频功放或功放也取得了很大的成功，但与GaN器件具有不同的应用场合，超出了本文的范围。）本文探讨了GaN器件的潜力，GaN和MOSFET器件的不同，GaN驱动器件成功的关键并介绍了减小栅极驱动环耦合噪声技术。

<strong>为什么GaN器件得到了发展？</strong>