储能系统中功率器件的应用要点及输出能力分析 judy / 周四, 26 二月 2026 - 15:28 本文通过实验对比验证了功率器件在应用设计中的关键因素，包括功率回路杂感的布局优化，栅极电阻对于关断电压尖峰的影响和RC吸收电路对于电压应力的抑制效果。 阅读更多 关于 储能系统中功率器件的应用要点及输出能力分析登录 发表评论
碳化硅(SiC)功率器件栅氧风险分析报告 judy / 周二, 27 一月 2026 - 15:15 派恩杰本报告旨在深入浅出地分析SiC MOSFET中的栅氧可靠性问题，重点对比两种主流技术路线——平面栅(Planar Gate)和沟槽栅(Trench Gate) 阅读更多 关于 碳化硅(SiC)功率器件栅氧风险分析报告登录 发表评论
三菱电机开始提供4款用于功率器件的全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品 judy / 周三, 14 一月 2026 - 10:25 该芯片专为电动汽车（EV）主驱逆变器，车载充电器以及太阳能发电系统等可再生能源的功率系统等中的功率器件而设计 阅读更多 关于 三菱电机开始提供4款用于功率器件的全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品登录 发表评论
威兆半导体锂电保护应用功率器件解决方案 judy / 周一, 29 十二月 2025 - 16:31 安全是锂电行业发展的生命线，BMS/锂电保护板作为锂电系统的“保护神”，是系统安全可靠运行不可或缺的关键环节，近年来亦展现出高速发展的趋势。 阅读更多 关于 威兆半导体锂电保护应用功率器件解决方案登录 发表评论
功率器件热设计基础（十四）----热成像仪测温度概述 judy / 周一, 15 九月 2025 - 15:20 用热成像仪测温度，在电力电子系统设计和验证中，是一个简单有效的非接触式测温度的方法，非常受工程师的欢迎，但工程应用中的一些疑问和误区需要梳理一下 阅读更多 关于 功率器件热设计基础（十四）----热成像仪测温度概述登录 发表评论
功率器件热设计基础（十三）——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息 judy / 周二, 21 一月 2025 - 14:51 功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计 阅读更多 关于 功率器件热设计基础（十三）——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息登录 发表评论
功率器件热设计基础（十二）——功率半导体器件的PCB设计 judy / 周二, 14 一月 2025 - 10:47 功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率 阅读更多 关于 功率器件热设计基础（十二）——功率半导体器件的PCB设计登录 发表评论
功率器件热设计基础（十）——功率半导体器件的结构函数 judy / 周四, 26 十二月 2024 - 15:58 结构函数为热设计提供了重要的参考数据。通过分析结构函数，热设计人员可以了解器件在不同条件下的热学性能 阅读更多 关于 功率器件热设计基础（十）——功率半导体器件的结构函数登录 发表评论
功率器件热设计基础（九）——功率半导体模块的热扩散 judy / 周二, 17 十二月 2024 - 14:47 功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计 阅读更多 关于 功率器件热设计基础（九）——功率半导体模块的热扩散登录 发表评论
功率器件热设计基础（八）——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流 judy / 周三, 11 十二月 2024 - 10:41 功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率 阅读更多 关于 功率器件热设计基础（八）——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流登录 发表评论
