碳化硅

全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告，到 2026 年，可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%

在本文中，我们介绍 IGBT 器件的结构和运行，并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构

根据该合作协议，双方在2024年至2030年间的交易额将超过1300亿日元。

本文介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。

专有的“低门槛电压”技术带来更好的温控效果，第五代GeneSiC™碳化硅(SiC)二极管实现更高速、更高效的性能

先进的GeneSiC碳化硅技术将实现从10千瓦到兆瓦级别的应用扩展，包括铁路、电动汽车、工业、太阳能、风能和储能等领域，加速实现“Electrify Our World™”使命

该器件有6种型号，适用于400 - 800V电池系统，额定电流最高可达30安培

安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。

这款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低，仅 80mΩ (对于 15V 的闸极驱动)，能将传导耗损降至最低，并提高效率

碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。