硅基氮化镓在射频市场的应用日益广泛 judy / 周二, 19 九月 2023 - 15:21 氮化镓技术将继续在国防和电信市场提供高性能和高效率。射频应用目前主要是碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）器件 阅读更多 关于 硅基氮化镓在射频市场的应用日益广泛登录 发表评论
如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡 judy / 周一, 18 九月 2023 - 16:00 在工业、汽车和可再生能源应用中，基于宽禁带 (WBG) 技术的组件，比如 SiC，对提高能效至关重要 阅读更多 关于 如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡登录 发表评论
从硅到碳化硅，更高能效是功率器件始终的追求 judy / 周一, 11 九月 2023 - 16:59 要想让设备不断实现更好的节能指标，用功率器件取代传统开关是必要的一步。可以说，功率器件创新的方向就是为了打造更节能的社会 阅读更多 关于 从硅到碳化硅，更高能效是功率器件始终的追求登录 发表评论
以更小封装实现更大开关功率，Qorvo SiC FET如何做到的？ judy / 周五, 1 九月 2023 - 10:37 Qorvo的SiC FET技术用于采用TO-Leadless（TOLL）封装的750V器件开发，并扩大了其领先优势。那么，如此小巧的TOLL封装能带来什么？ 阅读更多 关于 以更小封装实现更大开关功率，Qorvo SiC FET如何做到的？登录 发表评论
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装 judy / 周四, 31 八月 2023 - 14:30 与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34% 阅读更多 关于 东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装登录 发表评论
东芝开发出首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化 judy / 周二, 29 八月 2023 - 15:02 新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用 阅读更多 关于 东芝开发出首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化登录 发表评论
如何在有限空间里实现高性能？结合最低特定RDS(On)与表面贴装技术是个好方法！ judy / 周五, 25 八月 2023 - 11:29 SiC FET在共源共栅结构中结合硅基MOSFET和SiC JFET，带来最新宽带隙半导体技术的性能优势，以及成熟硅基功率器件的易用性 阅读更多 关于 如何在有限空间里实现高性能？结合最低特定RDS(On)与表面贴装技术是个好方法！登录 发表评论
关于碳化硅 (SiC)，这些误区要纠正 judy / 周二, 15 八月 2023 - 11:16 碳化硅 (SiC)是一种新兴的新型宽禁带 (WBG) 材料，特别适用于具有挑战性的应用。然而，大家对它的诸多不了解限制了设计人员对它的充分利用 阅读更多 关于 关于碳化硅 (SiC)，这些误区要纠正登录 发表评论
有关“特斯拉将减少75%的碳化硅用量”的进一步思考 judy / 周二, 25 七月 2023 - 11:18 在未来十年及以后，规模经济将继续降低碳化硅器件的成本，主要驱动因素是器件制造向8英寸碳化硅晶圆的过渡 阅读更多 关于 有关“特斯拉将减少75%的碳化硅用量”的进一步思考登录 发表评论
Diodes推出符合汽车规格的碳化硅 MOSFET 产品，可提升车用子系统效率 judy / 周三, 19 七月 2023 - 10:12 DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS 范围内安全可靠地运作，其闸极-源极 (Gate-Source) 电压 (Vgs) 为 +15/-4V，且在 15Vgs 时具有 75mΩ (典型值) 的 RDS(ON)规格 阅读更多 关于 Diodes推出符合汽车规格的碳化硅 MOSFET 产品，可提升车用子系统效率登录 发表评论
