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功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计

英飞凌MOTIX™ MCU专为实现一系列电机控制应用的机电电机控制解决方案而设计，在这些应用中，小尺寸封装和最少数量的外部组件是必不可少的

功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率

该半导体器件具有高栅极电流能力，可实现高边N沟道MOSFET的快速导通和关断

在本文中，我们详细描述了优化过程的关键组件，并对开发过程中的重点进行了评述。

本文将探讨英飞凌在混合式功率半导体创新技术方面为高效牵引逆变器在效率、成本和可持续性之间寻找更好的平衡点。

IGBT和MOSFET有类似的器件结构，MOS中的漏极D相当于IGBT的集电极C，而MOS的源极S相当于IGBT的发射极E

英飞凌作为半导体技术和市场应用的领军企业，发布了一系列具有差异化附加价值的创新半导体，并同时推出了一款适用于光伏应用的半桥拓扑评估板

新器件在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。