MOSFET

芯导科技的PSM8N065R3，具有65V耐压，2.5Ω的导通电阻，优异的FOM值，并且特别优化了适配同步整流控制器的门极驱动能力和开关EMI特性

DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS 范围内安全可靠地运作，其闸极-源极 (Gate-Source) 电压 (Vgs) 为 +15/-4V，且在 15Vgs 时具有 75mΩ (典型值) 的 RDS(ON)规格

本文所讲述的应用，将帮助设计人员在各种工业应用中选择使用这些器件以提高效率并增加系统的可靠性

TPH3R10AQM具有业界领先的3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前100V产品“TPH3R70APL”低16%[

600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%，漏源导通电阻×栅漏电荷（MOSFET性能的品质因数）降低了约52%

东芝推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路

新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动

这款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低，仅 80mΩ (对于 15V 的闸极驱动)，能将传导耗损降至最低，并提高效率

本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。