MOSFET

此次发布的产品包括用于 PoE、eFuse 和继电器替代产品的 100 V 应用专用 MOSFET (ASFET)，采用 DFN2020 封装，体积缩小 60%

新产品采用高速二极管，旨在改善桥式电路和逆变电路应用中至关重要的反向恢复特性

器件采用中央栅极结构3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212 F封装，提高系统功率密度，改进热性能

全新高压aMOS5™进一步升级，可满足太阳能/ESS 应用中 LLC、PSFB 转换器以及 H-4 和Cyclo逆变器的高效率需求

汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块

东芝已大量投放市场的五款新型MOSFET栅极驱动IC—TCK42xG系列是支持外部背对背MOSFET的器件，可阻止电流反向流入负载开关

东芝电子推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护

首款汽车级PolarP™ P通道功率MOSFET产品 IXTY2P50PA能满足汽车应用的严苛要求，提供卓越的性能和可靠性。

Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。

东芝推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。