该互连解决方案采用外形紧凑的连接器，能够满足高密度设计要求，可用于多种不同用途，包括前面板可插拔IO与主机芯片之间的直接跨接电缆，以及内部芯片间的互连。

新系列元件尺寸紧凑，仅为12.7 x 15.8 x 11.5 mm（宽x长x高），具有-55 °C至+165 °C的宽泛工作温度范围，满足RoHS指令要求并获得AEC-Q200标准认证。

本次新厂房的建设目的是构建可应对多层陶瓷电容器中长期需求增加的体制。

新IC的效率高达98.3%，在无需散热片的情况下可提供高达240W的输出功率，并可实现优于0.98的功率因数。

DZDH0401DW 控制器驱动 P 信道 MOSFET 来仿真理想二极管，在高达 40V 的系统中提供阻断反向电流所需的高侧导轨绝缘。

目前，可穿戴智能手表手环产品用户所关心的众多问题中，电池续航问题排在所有问题的首位，功耗是一个系统级的问题。为了更好的满足可穿戴产品超低功耗的需求，微源半导体近期发布了一款专门针对可穿戴设备低功耗应用需求的LDO – LP3991。

这两款器件均采用超薄的InSOP™-24封装。相较于分立方案设计，这种高集成度的高效架构无需使用散热片，并且可减少高达40%的元件数量。

3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围

近日，安富利发布了一项针对全球工程师的调查，以调查工程师如何应对全球芯片短缺、更长的交货时间以及工程师的设计选款和应用，发生哪些改变。

新型µPOL直流-直流转换器系列可在-40 ℃~125 ℃的宽结温范围内运行，并具有每立方英寸1000 A以上的高电流密度。

该系列模块特别适用于恶劣的电气环境如EV充电器，具有OVC III过压等级，可在海拔2000m运行，工作温度范围为-40至+90°C。

关于IGBT／MOSFET预驱动器，相信做电机驱动或者大功率设备驱动的工程师都会有所了解，所谓预驱动器，其实就是将微控制器与IGBT／MOSFET隔离开来，为负载及驱动器提供保护

为了精准聚焦工业测量领域，公司推出高可靠性、低功耗Sigma-Delta ADC CS1238DME芯片，通过可编程增益放大器（PGA），有效分辨率可达20.7位（PGA=128），增益误差8ppm。

没有比这更真实的词了——这也是我们从一开始就坚持的，推动 Matter 标准前进的方式。汇集大量最聪明、最优秀的人才，以一种我们行业前所未见的方式和动力来构建一些东西。

对于边缘网络应用，老化、预热时间和功耗等附加参数对整体性能非常重要。SiTime新推出的Elite X的性能优于传统时钟器件，简化了系统设计，能够提供更可靠、一致的性能。

Teledyne e2v的DDR4s存储容量为4G字节，尺寸仅为15mm x 20mm x 1.92mm，其存储密度远高于竞争对手的解决方案——仅占PCB基板面的一半，体积几乎减少了一个数量级。

多功能产品组合覆盖  24-40GHz  频段，展示了集成模块、分立波束成形及升降频转换器射频集成电路（RFIC）等技术

PUC-D2BG系列具有6kVDC隔离电压，以及适用于250VAC工作电压并通过IEC/EN/UL 62368-1安全认证的增强绝缘

AP6320xQ 与 AP6330xQ 装置的额定电流分别为 2A 和 3A，支持从 3.8V 到 32V 宽大的输入电压范围。适用于汽车负载点 (PoL) 产品应用

新陷波滤波器符合IEC61000-4-2的4级抗扰度标准。这些滤波器非常适用于确保智能手机、无线耳机（TWS）和智能扬声器等关键应用的音频电路满足EMC要求。