详解大功率电源中MOSFET功耗的计算 judy / 周五, 10 十月 2025 - 10:29 本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。 阅读更多 关于 详解大功率电源中MOSFET功耗的计算登录 发表评论
解决 48V 高功率痛点：Nexperia 推出 AEC-Q101 认证 MOSFET，单颗顶多颗，散热 / 效率双升级 judy / 周五, 19 九月 2025 - 10:08 新器件具有超低导通损耗，导通电阻(RDS(on))低至0.99mΩ，可实现460A以上的安全电流。 阅读更多 关于 解决 48V 高功率痛点：Nexperia 推出 AEC-Q101 认证 MOSFET，单颗顶多颗，散热 / 效率双升级登录 发表评论
针对大批量应用优化的电源开关 judy / 周三, 21 五月 2025 - 15:59 在挑选MOSFET时，大多数工程师首先关注的一个参数便是RDS(on)值。然而，面对消费电子、计算、移动设备乃至工业子系统的大批量需求，设计工程师对产品的要求日益多样化 阅读更多 关于 针对大批量应用优化的电源开关登录 发表评论
圣邦微电子推出 30V 单 N 沟道功率 MOSFET SGMNQ36430 judy / 周四, 8 五月 2025 - 10:13 SGMNQ36430 的主要特性包括低导通电阻和低栅极电荷。在 VGS = 10V 时，其导通电阻典型值为 2.9mΩ，最大值为 3.6mΩ，能够有效减少功率损耗 阅读更多 关于 圣邦微电子推出 30V 单 N 沟道功率 MOSFET SGMNQ36430登录 发表评论
基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET judy / 周三, 7 五月 2025 - 10:19 基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富 阅读更多 关于 基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET登录 发表评论
导通电阻降 48.2%，Vishay Gen 4.5 650V MOSFET 开启高效电源新时代 judy / 周三, 16 四月 2025 - 11:15 超结器件支持高额定功率和高密度，同时能够降低传导和开关损耗，从而提高效率 阅读更多 关于 导通电阻降 48.2%，Vishay Gen 4.5 650V MOSFET 开启高效电源新时代登录 发表评论
使用集成MOSFET限制电流的简单方法 judy / 周五, 28 二月 2025 - 10:24 电子电路中的电流通常必须受到限制。例如在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。 阅读更多 关于 使用集成MOSFET限制电流的简单方法登录 发表评论
Wolfspeed第4代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性 judy / 周三, 19 二月 2025 - 11:01 本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案，重新定义行业基准。 阅读更多 关于 Wolfspeed第4代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性登录 发表评论
新一代MOSFET解决方案以小搏大，破解应用难题 judy / 周一, 17 二月 2025 - 15:27 东芝TPH9R00CQ5 MOSFET具备仅为9.0 mΩ（最大值）的行业领先的低漏源导通电阻，相较于可被替代的150 V系列TPH1500CNH1，其导通电阻降低了约42% 阅读更多 关于 新一代MOSFET解决方案以小搏大，破解应用难题登录 发表评论
Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET 技术平台 judy / 周三, 12 二月 2025 - 11:16 Wolfspeed 高度灵活的第 4 代 MOSFET 技术平台为高性能、针对应用优化的产品提供长期发展规划支持 阅读更多 关于 Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET 技术平台登录 发表评论