ST推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET judy / 周四, 16 一月 2025 - 11:03 意法半导体的STripFET F8技术确保器件具有很高的稳健性和更大的安全工作区(SOA)，能够处理大功率，耐受大功率造成的漏源电压(VDS)大幅下降 阅读更多 关于 ST推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET登录 发表评论
CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现 judy / 周四, 12 十二月 2024 - 11:27 提供超低RDS(on)和超高的电流与热管理能力 阅读更多 关于 CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现登录 发表评论
Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET judy / 周三, 4 十二月 2024 - 16:30 器件占位面积小，采用BWL设计，ID高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 °C/W的RthJC可优化热性能 阅读更多 关于 Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET登录 发表评论
Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET judy / 周二, 26 十一月 2024 - 11:04 提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。 阅读更多 关于 Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET登录 发表评论
Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能 judy / 周三, 20 十一月 2024 - 11:05 TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装，RthJC低至0.45 °C/W，ID高达144 A，从而提高功率密度 阅读更多 关于 Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能登录 发表评论
Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET，提供更高效率和可靠性 judy / 周五, 15 十一月 2024 - 10:09 提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。 阅读更多 关于 Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET，提供更高效率和可靠性登录 发表评论
Vishay的采用延展型SO-6封装的新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压 judy / 周四, 24 十月 2024 - 09:22 器件峰值输出电流高达4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns 阅读更多 关于 Vishay的采用延展型SO-6封装的新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压登录 发表评论
Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合可提供更高的设计灵活性 judy / 周三, 7 八月 2024 - 09:44 新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种应用 阅读更多 关于 Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合可提供更高的设计灵活性 登录 发表评论
如何利用低电平有效输出驱动高端输入开关？ judy / 周二, 11 六月 2024 - 10:44 本文将探讨使用什么方法和技术可以监控电路的低电平有效输出来驱动高端输入开关，从而执行系统电源循环。 阅读更多 关于 如何利用低电平有效输出驱动高端输入开关？登录 发表评论
运用双MOSFET避免SEU的影响 judy / 周一, 3 六月 2024 - 16:18 以使用MOSFET的推挽式逆变器为例。如果“off”侧MOSFET在本不应该开启的时候被错误地开启，其结果可能会导致驱动轨电压对接地近乎短路 阅读更多 关于 运用双MOSFET避免SEU的影响登录 发表评论