Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK®封装的600 V E系列功率MOSFET judy / 周二, 7 五月 2024 - 10:15 第四代器件，额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品，降低导通和开关损耗，从而提升能效 阅读更多 关于 Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK®封装的600 V E系列功率MOSFET 登录 发表评论
耐辐射性已成为新太空卫星设计的新难题 judy / 周五, 26 四月 2024 - 15:14 本文将讨论在耐辐射电源系统中采用软开关的基本策略及多种优势。 阅读更多 关于 耐辐射性已成为新太空卫星设计的新难题登录 发表评论
艾为电子推出低导通阻抗高可靠性锂电池充电保护MOSFET judy / 周二, 23 四月 2024 - 14:54 AW401005QCSR是一款专为手机锂电池充电保护设计的共漏极双MOSFET器件，可适用于33W至100W手机充电功率的应用 阅读更多 关于 艾为电子推出低导通阻抗高可靠性锂电池充电保护MOSFET登录 发表评论
英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度 judy / 周三, 20 三月 2024 - 10:32 CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。 阅读更多 关于 英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度登录 发表评论
Vishay推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET judy / 周四, 14 三月 2024 - 09:49 节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 1212封装分立器件减少50 %，有助于减少元器件数量并简化设计 阅读更多 关于 Vishay推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET登录 发表评论
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？ judy / 周五, 8 三月 2024 - 11:28 在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。本文将分享相关UIS (UIL)数据表的额定值。 阅读更多 关于 功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？登录 发表评论
圣邦微电子推出最小脉冲宽度 1ns 的车规级低侧 GaN 和 MOSFET 驱动器 SGM48521Q judy / 周四, 7 三月 2024 - 10:19 SGM48521Q 提供 7A 源电流和 6A 灌电流输出能力。分路输出配置允许根据场效应管优化单独的导通和关断时间 阅读更多 关于 圣邦微电子推出最小脉冲宽度 1ns 的车规级低侧 GaN 和 MOSFET 驱动器 SGM48521Q登录 发表评论
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应 judy / 周五, 1 三月 2024 - 12:00 本文介绍了一个特定的雪崩功率函数，它构成了功率MOSFET数据表中雪崩额定值的基础 阅读更多 关于 轻松了解功率MOSFET的雪崩效应登录 发表评论
贸泽科普实验室 | 据说这三个器件关系不一般 judy / 周五, 1 三月 2024 - 11:45 在现代电子中，三极管、MOSFET、IGBT是电子人口中的“常客”，但很多人可能一知半解，或只知其一不知其二，尤其是电子新手，接下来跟着我们重新认识一下他们吧。 阅读更多 关于 贸泽科普实验室 | 据说这三个器件关系不一般登录 发表评论
三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品 judy / 周五, 1 三月 2024 - 09:12 三菱电机集团宣布将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品 阅读更多 关于 三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品登录 发表评论
