SiC MOSFET

新模型“ROHM Level 3（L3）”通过采用简化的模型公式，能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将仿真时间较以往L1模型缩短约50%

本章节带你探究SiC MOSFET模块并联应用中的动态均流问题。

本章节主要介绍了SiC MOSFET并联运行实现静态均流的基本要求和注意事项。

四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度

栅极驱动器是确保SiC MOSFET安全运行的关键，设计栅极驱动电路的关键点包括栅极电阻、栅极电压和布线方式等，本章节带你了解栅极驱动电压的影响以及驱动电源的要求。

本章节带你了解SiC MOSFET驱动电路设计、驱动电阻选择、死区时间等注意事项。

如今所有东西都存储在云端，但云究竟在哪里？

本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外，还应注意测试波形的准确性。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出一款可用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET的栅极驱动光电耦合器——“TLP5814H”。

本文主要探讨了第三代SiC MOSFET在电源设计中的应用。文章对比了Si与SiC的材料特性，回顾了SiC MOSFET的发展历程